中频电源应用注意事项（一）

IGBT中频电源与晶闸管中频电源调节功率的方式有什么不同

1. 可控硅并联感应加热设备调节功率是通过调节整流可控硅的导通角

实现的，在设备工作在小功率时，可控硅导通角减小，电网的功率因

数就会降低。因此必须另配功率因数补偿柜，增加新的投入，如果不

另配功率因数补偿柜，将会导致用户配电室的功率因数补偿柜电容损

坏或供电变压器发热。用户的投入增加，并且带来了电源效率的损耗。

IGBT 串联感应加热设备调节功率采用逆变侧调节方式，整流电路采

用二极管，整流的功率因数为100%，不需要在配电柜中另外配置设

备。

2. IGBT 串联感应加热设备工作时，开关器件承受的反压很小，其大小

仅仅是开关器件反并联二极管的导通压降，非常小。

可控硅并联电源工作时，开关器件承受承受反压较大。由于自关断器

件IGBT承受反压的能力很低，因此应用中需要给每个桥臂的主开关

管串接同等容量的快恢复二极管，增加了损耗。

3. IGBT串联感应加热设备的逆变器输入相当于恒压源，负载为R，L和

C串联，其输出电压为矩形波，电流为近似正弦波。其中的IGBT由于

承受矩形电压，故dt/ du较大，吸收电路起着关键作用，而对其dt/di

要求则较低。 可控硅并联电源的逆变器输入相当于恒流源，负载为R，L和C并联，

其输出电流为矩形波，输出电压为近似正弦波。其中的IGBT承受矩形电流，

dt/ di较大，有时为了减小dt/di，必须在电路中串联电感以限制dt /di

，电感增加损耗。